三星西安项目年底量产待考验

2014年5月9日三星存储芯片项目正式投产。这项总投资70亿美元的闪存项目，自2012年9月开工建设，历经两年，一旦达产，对整个半导体行业的影响将十分重大。

　　首先，该项目包括了一条12英寸的10X纳米级的V NAND(3D NAND)闪存芯片生产线。随着市场对高容量存储器需求的提升，传统2D NAND逐渐面临困境。因为随着容量的提升，晶体管将越做越小，NAND密度也越来越高，这对生产过程中保证成品的可靠性和性能稳定性都提出了挑战。三星西安投建的V-NAND，通过3D堆叠技术，可封装更多cell单元，达到增大容量的目的，缓解了工艺制程对缩小cell单元的追求，扩大闪存容量，同时使数据写入速度与数据可靠性都得到了提高。

　　其次，三星西安存储器项目规划月产能达7万片12英寸晶圆片，按现有市场价格计算，如果成品率达到90%，年销售额可达100亿美元。这种量级的产值规模，即使是对三星来说，也是具有重要意义的。

　　再次，三星在西安、海力士在无锡，全球存储产业的前两强都在中国设厂，即使两厂均为外商投资，但是对于中国半导体人才的培养、综合实力的提升也都有着不容忽视的作用。

　　不过问题依然存在。随着虚拟存储器技术的发展，服务器领域对于硬盘驱动器的利用重新重视起来，需求量也大幅上升，相应对于固态硬盘的需求不如预期;智能手机和平板电脑等移动产品市场趋于成熟，存储器市场的增长率也有所减弱;eMMC/eMCP等产品价格走势必然是在技术发展的推动下不断下降。与此同时，东芝新建的Fab 5二期工厂也将在2014年开始生产。如果算上三星西安项目，预计2014年NAND Flash产出量将比2013年大幅增加。

　　总之，2014年闪存市场的走势是产能扩充，需求增势减弱，低价成为王道。目前，下游内存模块制造商已经在购买价格低廉的NAND闪存芯片，这将使他们有机会能够推出更多有竞争力的闪存产品。3D NAND器件初期的收益率必然会较低。外部环境对三星西安项目并非有利。日前有消息爆出，三星电子决定长期保留对西安3D NAND闪存“V NADN”工厂的第二阶段投资，设备购买意向书也被撤回。

　　因此可以说，三星西安项目意义是重大的，但是如何走好这一步棋，抹平业内对它的质疑之声，却远远不是一纸正式投产的通告就能完成的。按照IC制造行业的一般规律，投产后产能必然要有一个爬坡的过程，这个过程至少要到年底才能达到7万片的规划产能。而三星的V NADN是否能得到市场接受，顺利达产?是否真的能在业界刮起一轮3D旋风?年底将是另一个重要的观测时点。