格科微成功研发TSI技术

出自：中国电子报、电子信息产业网

　  格科微(GalaxyCore)宣布在台积电的12英寸90nm逻辑平台上研发的“透硅成像”(Through Silicon Illumination, 简称“TSI”)图像传感器制造技术取得成功，并即将进入量产阶段。

　　格科微的TSI技术具有全面的自主知识产权，包括电路设计、像素版图设计以及与像素相关的工艺流程技术。该技术可以用于大规模制造1.75微米、1.4微米和1.1u微米像素的CMOS图像传感器，并可延伸到0.9微米像素的技术节点。格科微预期将在2014年～2015年期间陆续推出基于该先进技术的5 Megapixel (百万像素)、8 Megapixel以及12 Megapixel的图像传感器系列产品。

　　格科微的TSI技术具有优势，包括高性能：在大幅度提高灵敏度、信噪比的同时，显著地抑制了热燥、暗电流和串扰等噪声;高速度和低功耗：TSI技术采用TSMC的90nm工艺作为技术平台，并进一步优化相关工艺参数，同时结合格科微独特的电路设计技术，实现了CMOS图像传感器的高速度与低功耗，由此保证高帧率预览与拍照，同时保证芯片的低功耗从而实现出色的低热燥水平。显著的成本优势：TSI技术采用格科微自主创新的像素工艺技术，使用较少的工艺步骤实现优越的图像性能。